Siz hech qachon fotorezist sanoatida ultratovushli püskürtmeden foydalanganmisiz?

Fotorezist sanoatida ultratovushli atomizatsiya püskürtmesinin asosiy qo'llanilishi fotorezistni yuqori aniqlik, yuqori bir xillik va yuqori bosqichli qoplama bilan qoplashdir. Bu, ayniqsa, materialdan foydalanish va rentabellikni sezilarli darajada yaxshilagan holda, an'anaviy siqish qoplamasi bilan ishlov berish qiyin bo'lgan 3D mikro tuzilmalari, yuqori nisbatlar va katta / tartibsiz substratlarning qoplama muammolarini hal qilishda juda yaxshi.

1. Yarimo'tkazgichli gofret qoplamasi (asosiy ilovalar)

Planar Wafer Coating: Used for 12-inch and larger wafers, achieving ultra-thin, uniform photoresist layers (thickness 50–500 nm), with thickness error controllable within ±0.3–0.4 μm and uniformity >95%, ta'sir qilish aniqligi va chip rentabelligini sezilarli darajada yaxshilaydi.

Murakkab tuzilmali gofret qoplamasi: Chuqur xandaklar, TSVlar va yuqori nisbatli tuzilmalarni nishonga olish, chekka qurish, pastki qarshilik va soya effektlari kabi spin qoplama muammolarini hal qilish, yon devorlar va pastki qismda bir xil qoplamaga erishish, o'yma/ion implantatsiyasining aniqligini ta'minlash.

2. MEMS va Microstructure Device Coating

MEMS chiplari, mikrofluidik chiplar, sensorlar va mikrooynalar kabi 3D murakkab morfologik yuzalarni qoplash, mukammal qadam qoplamasini ta'minlaydi, o'lik burchaklar va pufakchalarni yo'q qiladi va qurilma ishonchliligini oshiradi.

Maxsus substratlar va moslashuvchan elektron qoplama

Shisha, keramika, metallar va egiluvchan substratlar (masalan, PI, PET) kabi kremniy bo'lmagan substratlarning-qoplanishi, noto'g'ri shakldagi/katta-o'lchamdagi/mo'rt qismlarga mos keladi, bunda aylanish jarayonida yuqori{4}}tezlikdagi santrifüj natijasida parchalanish xavfini oldini oladi.

Moslashuvchan OLED va perovskit quyosh xujayralari kabi moslashuvchan / kavisli substratlarda fotorezist / funktsional qatlamlarni qoplash.

Ar-ge va kichik-To‘plam prototiplash

Laboratoriya ilmiy-tadqiqot ishlari, yangi materiallarni tekshirish va kichik{0}}partiya prototipi: tez almashtirish, plyonka qalinligini aniq nazorat qilish va kam material sarfi, fotorezist formulasini ishlab chiqish va jarayonni takrorlash uchun mos.

Gibrid jarayon (Spin qoplama + ultratovush püskürtme)

Birinchidan, ultratovushli püskürtme bir xil asosiy plyonka hosil qiladi, so'ngra yuqori{0}}tezlikdagi aylanish qoplamasi elimni tenglashtiradi, bir xillik, qadam qoplanishi va ishlab chiqarish samaradorligini muvozanatlashtiradi, ilg'or jarayonlar uchun mos keladi.

Oddiy jarayon parametrlari (Ma’lumotnoma)

●Atomizatsiya chastotasi: 20–120 kHz (odatda 100 kHz ishlatiladi)

●Atomizatsiya zarralari hajmi: 0,5–50 mkm (submikron darajasi)

●Film qalinligi diapazoni: 50 nm–5 mikron (50–500 nm odatda aniq qoplama uchun ishlatiladi)

●Qalinligi bir xilligi: ±0,3–0,5 mkm (12 dyuymli gofret)

●Material Utilization: >90%